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AS3600半导体固晶机

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产品介绍

技术参数

序号

模块

项目

参数

 

1

 

系统精度

贴合精度

位移精度:±1um

度误差:<0 .3°

生产周期

60ms;60K/H@1.0pitch

 

 

 

2

 

 

 

固晶工作台

固晶范围

200mm*330mm(标准)

其他(定)

大基板厚度(含载具)

12mm

基板长度

10mm-350mm(标准)

基板宽度

10mm-220mm(标准)

XY辨率

0.04mil(1μm)

 

 

 

3

 

 

晶圆工作台

晶片大小

2*4mil~40*40mil

晶圆环

36个晶圆环/6寸(标准)

其他尺寸(定制)

最大芯片面积尺寸

4.7吋(直径119mm) 扩张后

XY辨率

0.04mil(1μm)

4

吸晶摆臂

摆臂

旋转固晶

固晶压力

20~250克(可调)

5

图像识别系统

灰阶度

256级灰度

分辨率

720×540像素

 

 

 

6

 

 

 

工作环境

输入电源

220VAC,50Hz

运行功率

1.6KW

压缩空气

0.3~0.5Mpa(无水无油)

相对湿度

45%~60%

环境温度

24±2度

无尘车间

≤10万级

7

体积及重量

机台重量

1600kg

设备尺寸(mm)

L1650*W1830*H1620(不含接驳台、三色灯)


特点

1.  一次像素定位,实现RGB三色固晶;

2.  超大基板尺寸,可实现无缝生产;

3.  支持单机多环和多机多环组合混打;

4.  采用大理石机台具有更高的稳定性;

5.  多工序并行,Z/R轴直连,高效高精;

6.  具备AI精度自动补偿和压力修正;

7.  邦头角度实时校正及压力控制;

8.  并联式连线,实现后进后出自动上下板;

9.  取晶平台可选配晶圆环超快自动校正;

10.  可选配自动换环、飞拍、校正,提升固晶效率;

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